2022-2028年中國氮化鎵市場深度分析與行業前景預測報告
http://www.xibaipo.cc 2022-09-29 14:48 中企顧問網
2022-2028年中國氮化鎵市場深度分析與行業前景預測報告2022-9
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。
中企顧問網發布的《2022-2028年中國氮化鎵市場深度分析與行業前景預測報告》共八章。首先介紹了氮化鎵行業市場發展環境、氮化鎵整體運行態勢等，接著分析了氮化鎵行業市場運行的現狀，然后介紹了氮化鎵市場競爭格局。隨后，報告對氮化鎵做了重點企業經營狀況分析，最后分析了氮化鎵行業發展趨勢與投資預測。您若想對氮化鎵產業有個系統的了解或者想投資氮化鎵行業，本報告是您不可或缺的重要工具。
本研究報告數據主要采用國家統計數據，海關總署，問卷調查數據，商務部采集數據等數據庫。其中宏觀經濟數據主要來自國家統計局，部分行業統計數據主要來自國家統計局及市場調研數據，企業數據主要來自于國統計局規模企業統計數據庫及證券交易所等，價格數據主要來自于各類市場監測數據庫。
報告目錄：
1.1氮化鎵基本介紹
1.1.1氮化鎵簡介
1.1.2氮化鎵形成階段
1.1.3氮化鎵性能優勢
1.1.4氮化鎵半導體作用
1.2氮化鎵材料的特性
1.2.1結構特性
1.2.2化學特性
1.2.3光學特性
1.2.4電學性質
1.3氮化鎵的制備方法
1.3.1金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術
1.3.2分子束外延（MBE）技術
1.3.3氫化物氣相外延（HVPE）技術
1.3.4懸空外延技術（Pendeo-epitaxy）
第二章2016-2020年半導體材料產業發展全面解析
2.1半導體材料相關概述
2.1.1第一代半導體材料
2.1.2第二代半導體材料
2.1.3第三代半導體材料
2.22016-2020年全球半導體材料行業發展綜述
2.2.1產業發展狀況
2.2.2市場規模分析
2.2.3市場競爭格局
2.2.4市場研發突破
2.32016-2020年中國半導體材料行業運行狀況
2.3.1行業銷售規模
2.3.2市場格局分析
2.3.3市場研發狀況
2.3.4產業轉型升級
2.3.5行業成果分析
2.4半導體材料行業存在的問題及發展對策
2.4.1行業發展滯后
2.4.2產品同質化嚴重
2.4.3供應鏈不完善
2.4.4產業創新不足
2.4.5行業發展建議
2.5半導體材料產業未來發展前景展望
2.5.1行業發展趨勢
2.5.2行業需求分析
2.5.3行業前景分析
第三章2016-2020年氮化鎵產業發展深度分析
3.1氮化鎵產業發展綜述
3.1.1產業發展歷程
3.1.2民用市場起步
3.1.3國產化將加速
3.1.4成本競爭分析
3.1.5GaN應用項目
3.22016-2020年氮化鎵市場發展動況
3.2.1射頻氮化鎵市場快速增長
3.2.2GaN器件產業發展瓶頸
3.2.3GaN市場增長驅動因素
3.3氮化鎵材料專利分析
3.3.1氮化鎵專利時間及區域分布
3.3.2氮化鎵專利技術布局
3.3.3氮化鎵重點研發機構
3.3.4氮化鎵高價值專利分析
3.3.5國際競爭力提升建議
第四章2016-2020年氮化鎵器件主要類型發展分析
4.1發光二極管（LED）
4.1.1發光二極管（LED）發展概述
4.1.2發光二極管（LED）市場發展狀況
4.1.32016-2020年中國發光二極管所屬行業進出口數據分析
4.1.4氮化鎵基藍綠光LED發展歷程
4.1.5氮化鎵在LED領域的技術突破
4.2場效應晶體管（FET）
4.2.1場效應晶體管發展概述
4.2.2GaN
4.2.3氮化鎵FET研究進展
4.3激光二極管（LD）
4.3.1激光二極管發展概述
4.3.2激光二極管背景技術
4.3.32016-2020年中國激光器所屬行業進出口數據分析
4.3.4GaN基激光器研究現狀
4.3.5GaN基激光器材料分析
4.3.6GaN基激光器的應用
4.4二極管（Diodes）
4.4.1二極管（Diodes）發展概述
4.4.22016-2020年中國二極管所屬行業進出口數據分析
4.4.3氮化鎵二極管研發動態
4.4.4垂直GaN二極管技術突破
4.5太陽能電池（SolarCells）
4.5.12016-2020年中國太陽能電池所屬行業進出口數據分析
4.5.2InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展概述
4.5.3InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
4.5.4InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
4.5.5InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展展望
第五章2016-2020年氮化鎵應用領域分析
5.1氮化鎵在電力電子產業的應用
5.1.1發展電力電子器件產業的重要意義
5.1.2電力電子器件產業發展狀況
5.1.3GaN應用在電力電子領域的優勢
5.1.4GaN電力電子器件研究進展
5.1.5GaN組件商品化帶來的機遇
5.1.6電力電子器件市場未來發展方向
5.1.7“十四五”中國電力電子發展重點
5.1.8“十四五”中國電力電子發展展望
5.2氮化鎵在新能源產業的應用
5.2.1新能源行業發展形勢
5.2.2新能源發電裝機規模
5.2.3GaN大功率器件需求潛力
5.3氮化鎵在智能電網產業的應用
5.3.1發展智能電網的重要意義
5.3.2智能電力設備發展分析
5.3.3智能電力設備關鍵技術
5.3.4GaN大功率器件需求潛力
5.4氮化鎵在通訊設備產業的應用
5.4.1通訊設備市場需求分析
5.4.2通訊設備制造業運行分析
5.4.3GaN大功率器件需求潛力
5.5氮化鎵其他領域應用分析
5.5.1GaN在4C產業的應用
5.5.2GaN在無線基站領域應用
5.5.3GaN對自動駕駛汽車的影響
5.5.4GaN在紫外探測領域的應用
5.5.5GaN在紅外探測領域的應用
5.5.6GaN在壓力傳感器中的應用
5.5.7GaN在生物化學探測領域的應用
第六章 國際氮化鎵產業重點企業經營狀況分析
6.1美高森美（Microsemi）
6.1.1企業發展概況
6.1.2企業經營狀況
6.1.3企業主要微波射頻產品
6.2Qorvo，Inc.
6.2.1企業發展概況
6.2.2企業經營狀況
6.2.3主要氮化鎵產品及應用
6.3MACOMTechnologySolutionsHoldings，Inc.
6.3.1企業發展概況
6.3.2企業經營狀況
6.3.3企業產品發布動態
6.4雷神（RaytheonCompany）
6.4.1企業發展概況
6.4.2企業經營狀況
6.4.3企業GaN技術研究進展
6.5恩智浦（NXPSemiconductorsN.V.）
6.5.1企業發展概況
6.5.2企業經營狀況
6.5.3企業GaN技術研究進展
6.6英飛凌（InfineonTechnologiesAG）
6.6.1企業發展概況
6.6.2企業經營狀況
6.6.3企業業務部門布局
第七章中國氮化鎵產業重點企業經營狀況分析
7.1蘇州納維科技有限公司
7.1.1企業發展概況
7.1.2企業經營狀況
7.1.3企業主營業務
7.2蘇州能訊高能半導體有限公司
7.2.1企業發展概況
7.2.2企業經營狀況
7.2.3企業主營業務
7.3東莞市中鎵半導體科技有限公司
7.3.1企業發展概況
7.3.2企業經營狀況
7.3.3企業主營業務
7.4三安光電股份有限公司
7.4.1企業發展概況
7.4.2企業經營狀況
7.4.3企業主營業務
7.5廈門乾照光電股份有限公司
7.5.1企業發展概況
7.5.2企業經營狀況
7.5.3 企業主營業務
第八章2022-2028年氮化鎵產業投資分析及前景預測
8.1氮化鎵產業投資分析（）
8.1.1產業投資機會
8.1.2企業投資動態
8.2氮化鎵產業發展前景
8.2.1市場發展機遇
8.2.2未來競爭空間
8.2.3市場發展潛力
8.32022-2028年氮化鎵市場預測分析
8.3.1影響因素分析
8.3.2市場規模預測（）
部分圖表目錄：
圖表1GaN纖鋅礦結構圖
圖表2水平式HVPE
圖表3豎直式HVPE
圖表42016-2020年全球半導體產業區域分布（單位：%）
圖表52016-2020年世界半導體產營收規模及增長
圖表62016-2020年中國半導體消費占全球比重（單位：%）
圖表72016-2020年中國&全球半導體增速對比（單位：%）
圖表8半導體產業發展受需求推動
圖表92022-2028年全球半導體產業銷售額預測（單位：億美元，%）
圖表10半導體產能全面轉移，材料需求更趨核心與高技術
圖表11國家集成電路基金投資的部分項目
圖表12氮化鎵（GaN）主要應用的預期潛在市場
圖表13氮化鎵材料相關專利年變化趨勢
圖表14GaN專利器件布局情況
圖表15氮化鎵領域Top15專利權人
圖表16日本主要機構合作情況
圖表17中國GaN專利強度分布情況
圖表18LED產業鏈
圖表192016-2020年中國LED行業各環節產業規模（億元）
圖表202020年中國半導體照明應用領域分布
圖表21全球LED燈泡價格變動趨勢
圖表222020年我國LED產品進出口
圖表23GaNFETSOA曲線示例，此時Rds-On=毫歐
圖表24電感硬開關測試電路
圖表25第二代及第四代氮化鎵器件的阻抗的比較。
圖表26第二代及第四代氮化鎵器件的硬開關FOM并與硅功率MOSFET的比較。
圖表27氮化鎵器件的散熱效率。
圖表28氮化鎵器件可以提高DC/DC轉換效率。
圖表29eGaNFET在更高壓的DC/DC轉換器可以提高效率。
更多圖表見正文……
