2024-2030年中國磷化銦行業發展態勢與投資方向研究報告

 磷化銦（InP）半導體材料同硅和砷化鎵材料相比具有高的電光轉換效率，高的電子遷移率，高的工作溫度，以及強抗輻射能力的特點，因而在民用和軍事領域的應用廣泛，例如在太赫茲(THz)、激光器、太陽能電池、光電探測器和光纖網絡系統等領域，包括入戶光纖和數據中心傳輸，以及目前正在大力發展的5G移動網絡等，這些都給InP襯底材料帶來巨大的市場前景。InP半導體材料具有寬禁帶結構，并且電子在通過InP材料時速度快，這意味著用這種材料制作的器件能夠放大更高頻率或更短波長的信號。例如，在衛星領域，利用InP芯片制造的接收機和放大器就可以獲得100GHZ以上的頻率。另外，InP基的太陽能電池目前報道最高可以獲得44.7%的轉化效率，因此其在衛星通信業和衛星太陽能電池領域潛力巨大。因此，InP是一種比GaAs更先進的半導體材料，在光纖通信、毫米波和無線應用等方面具有明顯的優勢。