2024-2030年中國手機射頻前端產業發展現狀與投資前景分析報告

   5G來臨，射頻功放材料將以GaAs主導。半導體材料的變遷歷程如下：Ge(鍺)、Si(硅)——GaAs(砷化鎵)、InP(磷化銦)——SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)——SiGe(鍺化硅)、SOI(絕緣層上覆硅)——碳納米管(CNT)——石墨烯(Graphene)。當前射頻功放的材料主要集中在第二代化合物半導體材料上。第一代Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等特點；第二代半導體材料電子遷移率高，是Si的6倍，具有直接帶隙，相較第一代具有高頻、高速的性能；第三代半導體原料具有較大的帶寬寬度，較高的擊穿電壓，熱導率高，電子飽和速率高，同樣適用于制造高頻、高溫、大功率的射頻組件。比較GaAs與GaN，低頻領域GaAs可以承受較高工作電壓，且GaN目前制造成本依然較高，5GSub-6GHz頻段最適用的工藝方案是GaAs；而在毫米波領域，GaN材料憑借適用高頻、高輸出功率的優勢，更適合作毫米波射頻器件材料。