2022-2028年中國第三代半導體行業分析與發展前景預測報告
http://www.xibaipo.cc 2022-04-27 09:23 中企顧問網
2022-2028年中國第三代半導體行業分析與發展前景預測報告2022-4
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- 2022-2028年中國第三代半導體行業分析與發展前景預測報告，首先介紹了中國第三代半導體行業市場發展環境、第三代半導體整體運行態勢等，接著分析了中國第三代半導體行業市場運行的現狀，然后介紹了第三代半導體市場競爭格局。隨后，報告對第三代半導體做了重點企業經營狀況分析，最后分析了中國第三代半導體行業發展趨勢與投資預測。您若想對第三代半導體產業有個系統的了解或者想投資中國第三代半導體行業，本報告是您不可或缺的重要工具。
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氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為最成熟的第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大于2.2ev），其余包括氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究還處于起步階段。
與第一二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大于2.2eV），亦被稱為高溫半導體材料。
作為一類新型寬禁帶半導體材料，第三代半導體材料在許多應用領域擁有前兩代半導體材料無法比擬的優點：如具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，可實現高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。
此外，第三代半導體材料還具有廣泛的基礎性和重要的引領性。從目前第三代半導體材料和器件的研究來看，較為成熟的是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體材料，也是最具有發展前景的兩種材料。
從應用范圍來說，第三代半導體領域還具有學科交叉性強、應用領域廣、產業關聯性大等特點。在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域擁有廣闊的應用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產業發展的重點新材料。
1 | GaN、SiC | 能過夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、高功率的工作特性，在軍事、新能源、電動汽車等領域具有非常大的應用前景。 |
2 | GaN：氮化鎵（GaN） | 是極其穩定的化合物，又是堅硬和高熔點材料，熔點為1700℃。GaN具有高的電離度，在三五族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構，因為其硬度大，所以它又是一種良好的涂層保護材料。GaN具有出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度。目前主要用于功率器件領域，未來在高頻通信領域也將有極大應用潛力。未來當5G標準頻率超過40GHz，砷化鎵將無法負荷，必須采用氮化鎵。 |
3 | SiC：碳化硅（SiC）俗稱金剛砂 | 為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。將碳化硅粉末燒結可得到堅硬的陶瓷狀碳化硅顆粒，并可將之用于諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發光二極管、早期的無線電探測器之類的電子器件制造中也有使用。如今碳化硅被廣泛用于制造高溫、高壓半導體。通過Lely法能生長出大塊的碳化硅單晶。 |
中企顧問網發布的《2022-2028年中國第三代半導體行業分析與發展前景預測報告》共八章。首先介紹了中國第三代半導體行業市場發展環境、第三代半導體整體運行態勢等，接著分析了中國第三代半導體行業市場運行的現狀，然后介紹了第三代半導體市場競爭格局。隨后，報告對第三代半導體做了重點企業經營狀況分析，最后分析了中國第三代半導體行業發展趨勢與投資預測。您若想對第三代半導體產業有個系統的了解或者想投資中國第三代半導體行業，本報告是您不可或缺的重要工具。
本研究報告數據主要采用國家統計數據，海關總署，問卷調查數據，商務部采集數據等數據庫。其中宏觀經濟數據主要來自國家統計局，部分行業統計數據主要來自國家統計局及市場調研數據，企業數據主要來自于國統計局規模企業統計數據庫及證券交易所等，價格數據主要來自于各類市場監測數據庫。
本研究報告數據主要采用國家統計數據，海關總署，問卷調查數據，商務部采集數據等數據庫。其中宏觀經濟數據主要來自國家統計局，部分行業統計數據主要來自國家統計局及市場調研數據，企業數據主要來自于國統計局規模企業統計數據庫及證券交易所等，價格數據主要來自于各類市場監測數據庫。
報告目錄：
與第一二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力（圖2），更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大于2.2eV），亦被稱為高溫半導體材料。從目前第三代半導體材料和器件的研究來看，較為成熟的是SiC和GaN半導體材料，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁等材料的研究尚屬起步階段。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）——并稱為第三代半導體材料的雙雄。
相對于Si，SiC的優點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因為這些特點，用SiC制作的器件可以用于極端的環境條件下。微波及高頻和短波長器件是目前已經成熟的應用市場。42GHz頻率的SiCMESFET用在軍用相控陣雷達、通信廣播系統中，用SiC作為襯底的高亮度藍光LED是全彩色大面積顯示屏的關鍵器件。
在碳化硅SiC中摻雜氮或磷可以形成n型半導體，而摻雜鋁、硼、鎵或鈹形成p型半導體。在碳化硅中大量摻雜硼、鋁或氮可以使摻雜后的碳化硅具備數量級可與金屬比擬的導電率。摻雜Al的3C-SiC、摻雜B的3C-SiC和6H-SiC的碳化硅都能在1.5K的溫度下擁有超導性，但摻雜Al和B的碳化硅兩者的磁場行為有明顯區別。摻雜鋁的碳化硅和摻雜B的晶體硅一樣都是II型半導體，但摻雜硼的碳化硅則是I型半導體。
第三代半導體材料優勢明顯
回顧半導體產業的發展歷程，其先后經歷了以硅（Si）為代表的第一代半導體材料，以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料，在上個世紀，這兩代半導體材料為工業進步、社會發展做出了巨大貢獻。而如今，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅、金剛石、氮化鋁為代表的寬禁帶半導體材料被統稱為第三代半導體材料。
1 | 作為一類新型寬禁帶半導體材料，第三代半導體材料在許多應用領域擁有前兩代半導體材料無法比擬的優點：如具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，可實現高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。 |
2 | 從應用范圍來說，第三代半導體領域還具有學科交叉性強、應用領域廣、產業關聯性大等特點。在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域擁有廣闊的應用前景，是支撐信息、能源、交通、國防等產業發展的重點新材料。 |
3 | 作為新一代半導體照明的關鍵器件，第三代半導體材料還具有廣泛的基礎性和重要的引領性。從目前第三代半導體材料和器件的研究來看，較為成熟的是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體材料，也是最具有發展前景的兩種材料。 |
4 | 與第一代半導體材料硅相比，碳化硅有諸多優點：有高10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因為這些特點，使其小至LED照明、家用電器、新能源汽車，大至軌道交通、智能電網、軍工航天都具備優勢，所以碳化硅市場被各產業界頗為看好。 |
5 | 而氮化鎵直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優點則使其擁有更快的研發速度。兩者的不同優勢決定了應用范圍上的差異，在光電領域，氮化鎵占絕對的主導地位，而在其他功率器件領域，碳化硅適用于1200V以上的高溫大電力領域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領域。可謂各有優勢。 |
第一節 第三代半導體行業定義及分類
第二節 第三代半導體行業發展及應用領域
第三節 主要國家第三代半導體發展
第二章 中國第三代半導體行業發展環境分析
第一節 中國半導體產業環境分析
第二節 第三代半導體行業相關政策
一、國家"十三五"行業政策
二、其他相關政策
第三節 中國第三代半導體行業發展社會環境分析
第三章 中國半導體行業供需現狀分析
第一節 第三代半導體行業總體規模
第二節 半導體所屬行業產量概況
一、2015-2019年產量分析
二、2019年產量
第三節 半導所屬行業體進出口概況
一、2015-2019年進出口分析
二、2019年進出口
第四節 半導體市場需求量概況
一、2015-2019年市場需求量分析
二、2019年市場需求量
第四章 中國半導體所屬行業總體發展情況分析
第一節 中國半導體所屬行業規模情況分析
一、行業單位規模情況分析
二、行業利潤總額狀況分析
三、行業資產規模狀況分析
四、行業市場規模狀況分析
第二節 行業競爭結構分析
一、現有企業間競爭
二、潛在進入者分析
三、替代品威脅分析
四、上游議價能力分析
五、下游議價能力分析
第三節 第三代半導體的綜合加工技術進展
第四節 國際競爭力比較
第五章 2019年我國第三代半導體行業重點區域分析
第一節 環渤海
第二節 長三角
第三節 珠三角
第四節 重點省市分析
1、深圳
1、北京
3、上海
4、江蘇
5、西安
第六章 第三代半導體行業市場分析
第一節 全球重點產品
一、市場占有率
二、市場應用及特點
第二節 中國第三代半導體品牌競爭概況
第三節 產品細分
第七章 第三代半導體國內重點生產廠家分析
第一節 三安光電股份有限公司
一、企業基本概況
二、企業主要經濟指標分析
三、企業盈利能力分析
四、企業償債能力分析
五、企業運營能力分析
六、企業發展戰略分析
第二節 揚州揚杰電子科技股份有限公司
一、企業基本概況
二、企業主要經濟指標分析
三、企業盈利能力分析
四、企業償債能力分析
五、企業運營能力分析
六、企業發展戰略分析
第三節 國民技術股份有限公司
一、企業基本概況
二、企業主要經濟指標分析
三、企業盈利能力分析
四、企業償債能力分析
五、企業運營能力分析
六、企業發展戰略分析
第四節 四川海特高新技術股份有限公司
一、企業基本概況
二、企業主要經濟指標分析
三、企業盈利能力分析
四、企業償債能力分析
五、企業運營能力分析
六、企業發展戰略分析
第五節 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
一、企業基本概況
二、企業主要經濟指標分析
三、企業盈利能力分析
四、企業償債能力分析
五、企業運營能力分析
六、企業發展戰略分析
第六節 杭州士蘭微電子股份有限公司
一、企業基本概況
二、企業主要經濟指標分析
三、企業盈利能力分析
四、企業償債能力分析
五、企業運營能力分析
六、企業發展戰略分析
第七節 上海貝嶺股份有限公司
一、企業基本概況
二、企業主要經濟指標分析
三、企業盈利能力分析
四、企業償債能力分析
五、企業運營能力分析
六、企業發展戰略分析
第八節 吉林華微電子股份有限公司
一、企業基本概況
二、企業主要經濟指標分析
三、企業盈利能力分析
四、企業償債能力分析
五、企業運營能力分析
六、企業發展戰略分析
第八章 2022-2028年第三代半導體行業發展趨勢及投資風險分析
第一節 當前第三代半導體市場存在的問題（）
第二節 第三代半導體未來發展預測分析
一、2019年中國第三代半導體行業發展規模
二、2022-2028年中國第三代半導體行業發展趨勢預測分析
第三節 中國第三代半導體行業投資風險分析
（一）宏觀經濟風險
（二）產品開發風險
（三）市場競爭風險
（四）技術淘汰風險（）
第四節投資建議
圖表目錄
圖表 1 寬禁帶半導體材料（第一代~第三代）的重要參數對比
圖表 2 第三代寬禁帶半導體材料應用領域
圖表 3 LED三種襯底
圖表 4 SiC和GaN商業化功率器件發展歷程
圖表 5 SiC半導體材料及器件的發展過程
圖表 6 SiC器件市場發展趨勢預測分析
圖表 7 GaN基功率器件的發展歷程
圖表 8 國際上涉及GaN微波器件的主要廠商
圖表 9 2015-2019年全球半導體產業規模
圖表 10 2015-2019年我國半導體產值規模
圖表 11 中國主要半導體制造、設計、封測公司列表
圖表 12 "中國制造2025"大陸半導體產業政策目標與政策支持
圖表 13 2022-2028年大陸IC制造產業政策目標與發展重點
圖表 14 2022-2028年大陸IC設計產業政策目標與發展重點
圖表 15 中國半導體產業發展路線
圖表 16 2015-2019年我國集成電路產量
圖表 17 2015-2019年我國集成電路進出口總量
圖表 18 2015-2019年我國集成電路需求量
圖表 19 2015-2019年我國集成電路行業企業數量
圖表 20 2015-2019年我國集成電路行業利潤總額
圖表 21 2015-2019年我國集成電路行業資產規模
圖表 22 2015-2019年中國集成電路產業銷售額
圖表 23 第三代半導體行業潛在進入者威脅分析
圖表 24 第三代半導體行業替代品威脅分析
圖表 25 全球半導體產業鏈變遷與產業轉移
圖表 26 美日半導體產業變遷圖
圖表 27 韓臺半導體產業變遷圖
圖表 28 全球半導體產業轉移原因剖析
圖表 29 2019年北京集成電路產業概況
圖表 30 2015-2019年上海集成電路、封裝測試銷售規模
更多圖表請見正文……
